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可控硅粘片工艺

发布时间:2003-09-12 19:02:08  来源:  作者: 查看:
 

v工艺质量要求:

 

 

v1、芯片位置正确;

 

 

v2、芯片无沾污、无碎裂、无划伤、无倒装、无误装、无扭转;

 

 

v3、引线框架无沾污、无气泡、无氧化、无变形;

 

 

v4、焊料熔融良好,无氧化、无漏装、无结球、无翘片、无空洞。
 

 
v产品质量要求:
 

    芯片与引线框架的连接机械强度高,导热性能好(△VBE小)和导电性能好(VCEsat 小),装配平整,焊料厚度适中,定位准确,能满足键合的需要,能承受键合或封装时可能有的高温,保证器件在各种条件下使用良好的可靠性。

1、在半导体材料中的溶解度高,这样制成的欧姆接触电阻就小 ;

2、具有较低的蒸气压,即在合金温度下不应大量蒸发;

3、熔点应低于芯片表面的铝与半导体的合金温度,否则会影响器件的电参数;

4、机械性能良好,要有延展性而且热膨胀性能与半导体材料、衬底材料的热膨胀性能相接近或相匹配;

5、价廉、纯净(一般要四个“9”以上)

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